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物品 SKU: | LGE3M45170B |
MPN: | LGE3M45170B |
制造商: | LUGUANG ELECTRONIC |
金额 | 价格 |
---|---|
1+ | USD 67.50 |
3+ | USD 60.70 |
10+ | USD 53.70 |
30+ | USD 51.40 |
120+ | USD 48.20 |
450+ | USD 45.00 |
900+ | USD 43.40 |
1800+ | USD 43.14 |
USD
{"1":6750000,"3":6070000,"10":5370000,"30":5140000,"120":4820000,"450":4500000,"900":4340000,"1800":4314000}
制造商 | LUGUANG ELECTRONIC |
晶体管类型 | N-MOSFET |
技术 | SiC |
极化 | 单极 |
漏极-源极电压 | 1.7kV |
漏极电流 | 48A |
脉冲漏极电流 | 160A |
耗电 | 520W |
封装 | TO247-3 |
栅极-源极电压 | -5...20V |
开启状态电阻 | 90mΩ |
安装方式 | THT |
栅极电荷 | 54nC |
包装类型 | 管 |
通道种类 | 增强 |
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